Низкоуровневый впрыск - Low-level injection

Низкоуровневый впрыск условия для p – n переход относится к состоянию, в котором количество миноритарные перевозчики генерируется мало по сравнению с большинством носителей материала. Концентрация основных носителей в полупроводнике останется (относительно) неизменной, в то время как концентрация неосновных носителей будет значительно увеличиваться. В этом состоянии рекомбинация неосновных носителей ставки линейны.^[1]

Следующее уравнение должно выполняться для полупроводника в условиях инжекции носителей:

{ displaystyle n = Delta n + n_ {0},}

куда ${ displaystyle n}$ это количество электронов, ${ displaystyle Delta n}$ - избыточные носители, инжектированные в полупроводник, и ${ displaystyle n_ {0}}$ - равновесная концентрация электронов в полупроводнике

Следующее соотношение также должно быть верным, потому что для каждого инжектированного электрона также должна создаваться дырка, чтобы поддерживать баланс заряда:

{ Displaystyle Delta n = Delta p.}

Предположение о низкоуровневой инжекции можно сделать в отношении полупроводника n-типа, что влияет на уравнения следующим образом:

{ displaystyle Delta n ll N_ {D}.}

Следовательно ${ displaystyle n = N_ {D}}$ и ${ displaystyle p = Delta p + p_ {0}}$ .

Для сравнения: полупроводник в высокий впрыск означает, что количество сгенерированных перевозчики велика по сравнению с фоновой плотностью легирования материала. В этом случае скорости рекомбинации неосновных носителей пропорциональны квадрату их числа.^[2]

Низкоуровневый впрыск - Low-level injection

Рекомендации